AMD promete saltos de eficiência com memórias 3D DRAM e expõe superaquecimento

A indústria de silício busca alternativas para lidar com a estagnação das memórias HBM frente ao avanço acelerado da inteligência artificial .

Nesta terça, 01, a AMD revelou detalhes sobre a eficiência da promissora arquitetura 3D DRAM, uma tecnologia com ligação híbrida que, segundo a fabricante, chega a ser 17 vezes mais eficiente no consumo de energia em comparação com um empilhamento convencional.

A produção de uma pilha HBM gera uma capacidade utilizável muito menor em relação à fabricação de memórias DRAM comuns.

O setor de tecnologia testa novos caminhos para fugir deste gargalo e o formato 3D DRAM pode ser a solução definitiva na visão dos engenheiros, mas enfrenta barreiras físicas severas antes de alcançar a comercialização em massa.

A AMD tem moral para falar sobre o assunto, pois já aplica o conceito 3D V-Cache em seus processadores.

O sistema empilha a memória na vertical sobre o chip principal em vez de usar o modelo com os componentes lado a lado.

Aplicar esta lógica vertical nas memórias DRAM, no entanto, apresenta desafios inéditos.

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