Samsung projeta memória HBM5 com o dobro do desempenho da geração HBM4E

A Samsung Electronics anunciou nesta semana, durante o Memory Executive Summit, em Taiwan, a intenção de duplicar o desempenho e aumentar a eficiência energética da próxima especificação de memória HBM5, em comparação à HBM4E .

O chefe da equipe de planejamento de produtos da divisão de memória da empresa, Choi Jang-seok, apresentou as metas, que preveem um ganho de 20% no rendimento por Watt em relação à geração passada.

A empresa já confirmou a inclusão de um bloco térmico (HPB) nas pilhas de memória HBM5 , com redução da resistência térmica em 20% e simplificação dos módulos de resfriamento.

A duplicação da largura de banda por pilha resulta em um pico de transferência de cerca de 4 TB/s por unidade, entre os anos de 2028 e 2029.

As estimativas da TSMC indicam que aceleradores de IA utilizarão configurações de 20 a 24 módulos HBM5 ou HBM5E por pacote até o final da década.

Essa integração permite aos sistemas atingirem taxas entre 80 TB/s e 96 TB/s de largura de banda de memória.

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