China ya tiene un prototipo propio de una fuente de luz UVE para fabricar chips de vanguardia

China está recorriendo con paso firme el camino que presumiblemente concluirá con el desarrollo de sus propios equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE).

Estas máquinas son necesarias para fabricar circuitos integrados de vanguardia con un coste y un rendimiento por oblea competitivos, y las sanciones de EEUU y Países Bajos impiden a ASML vendérselas a sus clientes chinos.

El Gobierno de Xi Jinping quiere tener sus propias máquinas UVE antes de que expire esta década , pero poner a punto estos equipos es extraordinariamente difícil.

Uno de los desafíos que es imprescindible superar requiere diseñar y fabricar una fuente de luz ultravioleta extrema capaz de entregar radiación con una longitud de onda de 13,5 nm de una forma completamente estable.

Esta luz es la responsable de trasladar el patrón geométrico que describe la lógica de los chips desde la máscara hasta la oblea, pero producirla con la precisión adecuada no es para nada sencillo, como vamos a comprobar unas líneas más abajo en este mismo artículo.

Desde hace más de un año sabemos que Huawei tiene un prototipo de máquina UVE operativo dentro de un laboratorio de alta seguridad en Shenzhen, aunque todavía no fabrica circuitos integrados funcionales.

No obstante, esta no es la única baza de China.

Y es que la empresa emergente Langdao Silex, con sede en Shanghái, ha enseñado en la Feria de la Industria Internacional de China un prototipo de un sistema de generación de luz UVE que, sobre el papel, debería ser similar a los que incorporan las máquinas de litografía UVE de ASML.

Además, Langdao Silex asegura que el 90% de los componentes de su prototipo son de fabricación nacional.

Producir luz UVE de 13,5 nm es extraordinariamente difícil Para entender lo complejo que es desarrollar una fuente de radiación de ultravioleta extremo estable solo tenemos que repasar cómo funciona este componente en las máquinas UVE de ASML .

En estas máquinas varios láseres de alta potencia calientan instantáneamente decenas de miles de diminutas gotas de estaño en un solo segundo hasta que alcanzan una temperatura de medio millón de grados Celsius.

Esta interacción produce un plasma extremadamente caliente que emite luz ultravioleta con una longitud de onda de 13,5 nm.

En Xataka Una parte de la comunidad matemática está en pie de guerra contra OpenAI Esta luz posteriormente debe ser transportada hasta la oblea gracias a un sistema de espejos y lentes muy preciso con el propósito de plasmar los patrones que definen los circuitos integrados sobre una capa de fotorresina.

Muy a grandes rasgos esta es la estrategia que utilizan las máquinas de fabricación de semiconductores más avanzadas que existen actualmente.